Samsung è già pronta per i processori a 5 nanometri
Samsung ha completato lo sviluppo del processo produttori a 5 nanometri ed è già pronta per produrre i primi esemplari per i clienti. E gli altri sono ancora molto indietro e c'è chi non si spinge olt...
Samsung ha completato lo sviluppo del processo produttori a 5 nanometri ed è già pronta per produrre i primi esemplari per i clienti. E gli altri sono ancora molto indietro e c'è chi non si spinge oltre i 10 nm
Samsung è già pronta per i processori a 5 nanometri
Samsung Electronics ha già terminato lo sviluppo del processo produttivo a 5 nanometri FinFET, e ha dichiarato di essere pronta per produrre i primi esemplari destinati ai clienti.
Battuta sul tempo la rivale taiwanese TSMC, che è ancora in alto mare con lo studio di fattibilità e di rischio della produzione dei processori a 5 nanometri, mentre l'azienda Sud Coreana è già pronta per avviare la produzione di massa.
La tecnologia per la produzione di circuiti stampati a soli 5 nanometri è di tipo litrografia EUV, cioè tramite l'ultravioletto, che permette di ottenere il nuovo processo produttivo simile alla precedente generazione a 7nm, ma ottenendo una fedeltà maggiore nella stampa su layer metallico.
La produzione avverrà presso la linea S3 dello stabilimento Samsung di Hwaseong, in Corea del Sud, dove è stata creata la nuova linea di produzione per inizio lavori ad inizio 2020 anche nell'altra linea sempre ad Hwaseong.
Da notare come il nuovo processo produttivo a 5nm, porti notevoli benefici, dalla riduzione del 25% delle dimensioni, al 20% in meno di consumi con un 10% in più di prestazioni rispetto a quelli a 7nm ed inoltre le unità utilizzate per il processo a 7nm possono essere utilizzate anche per il processo a 5nm.
Samsung dunque procede a velocità massima rispetto agli altri, dove solo nell'ottobre 2018 lanciava i 7 nanometri ed ora ad inizio 2020 porterà i 5nm per tutti, con previsioni di arrivare a 4 e 3 nanometri entro il 2020, che farà debuttare anche una nuova struttura denominata MBCFET, Multi Bridge Channel FET, naturale evoluzione della FinFET che ha raggiunto il suo limite fisico.
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